Hm ser inte problemet. driver tre stycken NFET med en op, en serieresistor på varje. funka kalas! stora är dom oxå, tillsammans levererar de upp till 50 A.
Frågan är då bara - hur ofta switchar du? Driver man långsamt så blir det en effektintegral vid varje switchning och med hög prf så brinner trissan upp eller blir extremt varm.
MOSFET skall switchas hårt med mycket ström om man vill utnyttja dem effektivt. Har man låg prf och vill minska störningar så visst kan man switcha långsammare! För ju snabbare man switchar desto högre övertoner skapas och desto svårare blir det att klara EMC-kraven
Ja 120 gånger 5mJ/switchning blir ju 600mW och det är inga problem för det meta. räkna ist på 40kHz gånger samma 5mJ/switchning.... Många varma trissor blir det.....
Integralen av UI produkten över trissan under switchningen. Har inte mätt på exakt hans trissa, men har gjort det på en liknande koppling och minns att jag fick fram ungefär 5mJ den gången.
Precis som jag anade då, men detta görs väl bäst genom att mäta upp dessa värden i den aktuella kopplingen, och/eller göra en kvalificerad gissning m.h.a. databladets diagram. Resultatet blir väl väldigt beroende på hur fort gaten laddas upp och hur stor lasten är.
Yepp, med kännedom om drivförmåga på sin styrning och gatekapacitans så går det räkna ut en skapligt värde. Finns en indirekt metod också och det är att mäta temperaturhöjningen. Rthj-amb brukar stå i databladet och kör man trissan utan kylfläns med två olika prfer och dutycykle samt last lika i båda fallen så kan kan räkna ut vilken effekt som utvecklas i trissan vid de två fallen genom att mäta dTcase-amb. Plottar du kurvan så ser du hur många mJ per switchning som alstras och hur mycket värme som kommer ifrån Rdson I kvadrat. Kör man induktiva laster så kan även Udf I vara en värmekälla - givet beroende på koppling och typ av FET.
Allra enklast om man bara vill ha ett hyffsat numeriskt värde är nog att koppla upp sagda trissa i pspice, simulera en switchning och vara framme med effektproben