Jag sitter med ett litet problem ni kanske kan hjälpa mig med. Jag håller på att bygga en krets som behöver en optiskt läsgaffel med ca 20mm gap. Eftersom det är ganska svårt att få tag på tänkte jag bygga en egen. Inte allt för svårt om man läst lite elektronik.
Jag tänkte anväda IR-dioden IR323 och Fototransistorn PT 202. Jag hittade makamjau's projekt ett par sidor bak men här ser problemet lite annorlunda ut. Istället för att koppla fototransistorn "i serie" med en microswitch vill jag få en signal ut till en logikkrets eller en AVR mikroprocessor (jag hade tänkt mig AVRtiny 15) som ger mig en etta eller nolla beroende på om läsgaffeln är blokerad eller inte.
Kolla på mitt schema nedan. Har jag tänkt helt fel? Hur stort bör motståndet vara? Jag funderade på 1K, är det helt tokigt?
Kan även säga att kretsen ska göras så liten som möjligt och därför är det tacksamt med minimalt antal komponenter. Jag vill även ha kretsen så strömsnål som möjligt.
enligt databladet går kollektorströmmen upp till 20mA som mest, så du kan ju utgå från det och fundera över vilken utspänning du måste ha för att få bra marginaler. om du inte har a/d omvandlare kanske du kan sätta en enkel komparator/op-amp efter...
Hmmm. Där är iofs en AD-omvandlare i ATtiny 15 men den är långsam. Den tar ett par millisekunder i omvandlingstid, vilket jag inte direkt har tid med.
I databladet står det 0.7mA vid E=1mW/cm^2 eftersom dioden har en strålningseffekt på 5mW känns det ganska rimligt att stömmen kommer ligga på ca 1mA då det lyser på den. Om jag då vill ha ett spänningsfall över resistorn på minst 4.5 V krävs ett motstånd på minst 4.5k! Kommer processorn känna igen en nolla om det ligger ett 4.5k motstånd till jord?
Detta kan man åtgärda genom att byta plats på fototransistorn och resistorn (processorn sänker väl försumbara strömmar). Är detta en bättre ide?
Ni får ursäkta att jag inte är så skarp på elektroniken. Jag har bara läst några enkla kurser på gymnasiet för ett par år sedan..
Tack för svaret men jag ser gärna att jag löser detta med extern hårdvara. Jag vill inte binda mig till de inbyggda funktionerna i en microprocessor om jag senare får för mig att byta av en eller annan anledning.
Om omgivande ljus inte kan påverka fototransistorn skulle det teoretiskt sett räcka att koppla den mellan ett I/O-ben på mikokontrollern och jord, samt koppla in weak-pullup.
I praktiken är det en schmittrigger du behöver.
Schmittrigger kan man koppla med OP-amp t.ex TLC271 & några motstånd eller så köper man en schmittrigger-grind t.ex 74HC14.
Om du kör med 74HC14 så sätt fototransen närmast jord & R=10K
Oavsett vad du gör så mät utsignalen och jämför med Vil-max och Vih-min för den aktuella kretsen.
Mät med bruten & ej bruten stråle både i mörker och fullt dagsljus.
Jag var också inne på det där med en schmitttrigger men som jag skrev i min första post så har jag extremt snålt med utrymme (varför väljer man annars en ATtiny) och har inte plats med en stor DIL14 kapsel.
Hittade däremot denna http://www.elfa.se/elfa-bin/setpage.pl? ... 011589.htm som har inbyggd schmitt trigger. Är det bara att koppla utgången V0 direkt till pinnen på processorn i om man väljer att använda den istället?
Finns det förresten kapslar med endast en eller två schmitt-triggers (inverterade eller inte kvittar)? Jag hittar inga hos ELFA...
Kan även tillägga att kretsen kommer arbeta i så gott som totalt mörker.
Hur stor weak-pullpup skulle du rekommendera om jag väljer att testa utan schmitt-triggern.
Hej och tack för svaret.
Jag hde ingen aning om att AVR-processornerna hade inbyggda pullup motstånd. En AVR fråga bara, vet du vilka kommando man ska använda för att aktivera enskilda portars pullup motsstånd om man vill använda C/C++ (med WinAVR).
En annan sak. Jag tänkte driva en 5V 0.55W solenoid (elektromagnet) med hjälp av en transistor som är styrd av min ATtiny processor. Någon som kan ge mig ett tips på vilken transistor jag ska använda och hur stort motstånd jag ska ha mellan processorns utgång och transistorns bas?
Ok, jag kollade upp den i Elfa och den verkade nice, lite större kapsel än BD139 men den har ju fördelen att det är en FET transistor vilket visade sig passa mitt projekt bättre.
En fråga bara, Det står att det är en N-typ transistor. Ska man lägga ut en etta eller en nolla på gaten för att öppna för strömmar mellan Drain och Source? Gör det någon skilland om jag sätter min elektromagnet mellan +5V och drainen eller mellan sourcen och jord?
