Jag har en kraft BJT som jag ska driva, problemet är att förstärkningen är ganska låg ca 20 ggr. Så en darlington koppling är det första som man tänker på. Men transistorn har en Vbe spänning på ca 3 V. Detta innebär att Vce(sat) blir 3 V + ett normalt Vce.
Vce(sat) är normalt ca 1 V så en ökning till 3 V ger en ohållbar effekt förbrukning.
Finns det något sätt att få upp förstärkningen på kraft transistorn utan att öka Vce(sat) med kraft transistorns Vbe spänningsfall (3 V)?
Det är fritt att använda vilken annan komponent som helst (mosfet, transformator ..) bara kraft transistorn driver lasten och Ib hålls låg.
Darlington koppling
-
bengt-re
- EF Sponsor
- Inlägg: 4829
- Blev medlem: 4 april 2005, 16:18:59
- Skype: bengt-re
- Ort: Söder om söder
- Kontakt:
Ja, en mosfet i ett RT-drivsteg bör fungera, men svårt att säga utan att sett kopplingen exakt. Till drivsteg duger logikstyrda mosfet bra, finns de som tar över 4A med skapligt låg gatekapacitans - 220 ohm som gatemotsånd och driv med en vanlig CMOS utgång.
IRLL3303 är ett bra exempel - kanske för dyr/kraftig för dig, men bara för att visa på lämplig komponent - sen utan att veta övriga krav -
*hur snabbt du switchar
*Hur bra skydd drivelektroniken behöver
*Om drivsteget får "slösa" lite ström (RT-drivsteg gör ju likssom det...)
*Hur mycket det får kosta
*SMD eller hål monterat
*EMC-krav
*Eläsäkerhetskrav
IRLL3303 är ett bra exempel - kanske för dyr/kraftig för dig, men bara för att visa på lämplig komponent - sen utan att veta övriga krav -
*hur snabbt du switchar
*Hur bra skydd drivelektroniken behöver
*Om drivsteget får "slösa" lite ström (RT-drivsteg gör ju likssom det...)
*Hur mycket det får kosta
*SMD eller hål monterat
*EMC-krav
*Eläsäkerhetskrav
Ok, då får jag börja med att fråga vad ett RT-drivsteg är? 
Jag ska driva en 5 kW @ 112 V tre fas motor med bipolära transistorer men eftersom förstärkningen är ganska låg så går det åt en avsevärd effekt bara till driv steget. Med andra ord så vill jag hitta den heliga gralen dvs. driva en BJT utan bas ström eller iallafall inom rimliga gränser.
Jag ska bara simulera inverteraren så pris , emc, eläsäkerhetskrav ect kan man mer eller mindre bortse ifrån. Jag vill bara minimera effekten och utvärdera de bipolära transistorerna. Men givetvis är det ett plus om det fungerar och blir bra i verkligheten också.
Övrigt så så switchar jag med 25 kHz med stig/fall tider på runt 100 ns.
Jag ska driva en 5 kW @ 112 V tre fas motor med bipolära transistorer men eftersom förstärkningen är ganska låg så går det åt en avsevärd effekt bara till driv steget. Med andra ord så vill jag hitta den heliga gralen dvs. driva en BJT utan bas ström
eller iallafall inom rimliga gränser. Jag ska bara simulera inverteraren så pris , emc, eläsäkerhetskrav ect kan man mer eller mindre bortse ifrån. Jag vill bara minimera effekten och utvärdera de bipolära transistorerna. Men givetvis är det ett plus om det fungerar och blir bra i verkligheten också.
Övrigt så så switchar jag med 25 kHz med stig/fall tider på runt 100 ns.
-
bengt-re
- EF Sponsor
- Inlägg: 4829
- Blev medlem: 4 april 2005, 16:18:59
- Skype: bengt-re
- Ort: Söder om söder
- Kontakt:
Å, RT - en resistor till Vcc och en transistor till Gnd, eller tvärtom.. Och tar du ut din drivsignal i punken mellan transistor och motståndet. Vill man kan man sätta ett motstånd till och ta ut drivsignalen mellan resistorerna.
Kan tyckas en lite korkad koppling, men den har vissa fördelar och vissa nackdelar också - hög Vcc och höga strömbehov ger för stora förluster för att konstruktionen skall vara bra, då är ett vanligt NPN PNP steg med varsit motstånd givetvis en bättre lösning.
Men för att driva mosfet så är det rätt bra - färre komponenter som inducerar störningar, man kan styra till och fråntid och så vidare.
Men till ditt drivsteg behöver du nog hitta på något mer avancerat - är valet av BJT givet? Kan du inte köra med IGBT istället?
Kan tyckas en lite korkad koppling, men den har vissa fördelar och vissa nackdelar också - hög Vcc och höga strömbehov ger för stora förluster för att konstruktionen skall vara bra, då är ett vanligt NPN PNP steg med varsit motstånd givetvis en bättre lösning.
Men för att driva mosfet så är det rätt bra - färre komponenter som inducerar störningar, man kan styra till och fråntid och så vidare.
Men till ditt drivsteg behöver du nog hitta på något mer avancerat - är valet av BJT givet? Kan du inte köra med IGBT istället?
Här kommer en bild på drivsteget för den undre transistorn i den ena fasen.
Alltså jag driver parallellkopplade BJT:er med ett puch-pull steg men pga den dåliga förstärkningen går det 3-7 A i drivsteget. Så frågan är om jag skulle kunna göra en darlingtonkoppling för att driva de parallellkopplade transistorerna utan att dessas Vbe hamnar över darlingtonkopplingens Vce.
Alltså jag driver parallellkopplade BJT:er med ett puch-pull steg men pga den dåliga förstärkningen går det 3-7 A i drivsteget. Så frågan är om jag skulle kunna göra en darlingtonkoppling för att driva de parallellkopplade transistorerna utan att dessas Vbe hamnar över darlingtonkopplingens Vce.
