anslutningar på IRFP 450?

Electricguy · Inlägg av **Electricguy** » 19 mars 2008, 07:51:05

hur kopplar man in en IRFP 450? dvs.vilken anslutning är vänster ben, mittbenet och höger ben?

prototypen · Inlägg av **prototypen** » 19 mars 2008, 08:01:51

Ett Sodjan svar, Googla och titta i databladet, kanske så enkelt som att kolla ELFA.

Skärpning

Protte, funkar mac - VGA adaptern??

Electricguy · Inlägg av **Electricguy** » 19 mars 2008, 08:09:34

jag hittade anslutningarna i databladet, men vad exakt gör drain gate och scurse? vilken funkar som bas emitter och kollektor?

adaptern funkar jättebra! kom på att du kanske ville ha något för den, om du har vägen förbi så kan du ju komma hit och hämta något

prototypen · Inlägg av **prototypen** » 19 mars 2008, 08:40:46

Gate motsvarar basen dock spänningsstyrt i stället för strömstyrt
Drain motsvarar kollektorn
source blir då emitter.

Tänk på att typiskt max på gate är 20 volt, de flesta behöver inte mer än 7-9 volt för att bottna helt.

Protte

sodjan · Inlägg av **sodjan** » 19 mars 2008, 09:21:28

> vilken funkar som bas emitter och kollektor?

Ingen alls! Den saknar bas, emitter och kollektor.

MNorrgren · Inlägg av **MNorrgren** » 19 mars 2008, 09:36:08

Det enklaste tispet ang mosfetar är att gaten styr du den på. Alltså ska den gå till drivkretsen.

Drain som betydelsen på engelska( uttömmande etc) att du kopplar din last på drain.

Source som också betydelsen på engelska betyder källa alltså kopplar du den till batteriet eller spänningskub.

Men sånt står i databladet bara att kolla där.

Sen står det i de flesta scheman du hittar på internet också.

Så för att citera föregående: "skärpning"

danei · Inlägg av **danei** » 19 mars 2008, 09:46:06

Jag skulle nog säga att de inte bottnar innan 10V och driv dem gärna med 15V. Men det kulle ju vara trevligt om folk kunde leta lite själva innan frågorna dyker upp här.

peter555 · Inlägg av **peter555** » 19 mars 2008, 09:56:49

Drain och source refererar till att elektronerna rinner ut och in på respektive anslutning. Alltså kopplas source till lägsta potentialen.

AntiZ · Inlägg av **AntiZ** » 19 mars 2008, 16:03:54

Som danei och prototypen säger så kräver denna FET lite högre spänning än vad de flesta logik-kretsar/µP ger.
Enklast är nog att ha en logik-styrd FET som styr IRFP'en.

Snabb titt i databladet ger att de verkar köra på 10 V som GS spänning, det ger ca 23 A i max ström vid 12 V matning och ca 33 A vid 24 V matning.
Vid 5 volt styrspänning vill den knappt öppna alls.

Datablad: http://www.digchip.com/datasheets/downl ... er=IRFP450

prototypen · Inlägg av **prototypen** » 19 mars 2008, 16:16:54

Peter, hur förklarar man då en P-kanal? Hålen rinner in och ut.

Undrar (sodjan) hur uppfinnaren av fälteffekttransistorn förklarade för sina kollegor hur den fungreade, liksom att jämföra med något.

Transistorer styr vi med en signal mellan bas-emitter/gate-source och ofta får vi ut ett resultat på kollektorn eller emitter / drain eller source.

Vi kan ju dra analogi med rör som dessutom uppför sig som fälteffekttransistorer, galler = gate, katod = source, anod = drain.

Jag har träffat Kungen i Kalmar IRL och han behöver nog all hjälp i världen att förstå hur prylarna funkar och kan man då jämföra med något som han har åtminstone en LITEN susning om hur det fungerar (jag tror inte han behärskar en BJT ännu fullt ut)(ni kan ju fråga hur gammal pojken är)(jag är MÅNGA gånger äldre).
Protte

prototypen · Inlägg av **prototypen** » 19 mars 2008, 16:21:29

Jag tycker det är en glädjande utveckling på Rifakungen, han har börjat intressera sig för halvledare och övergivit både att spränga pennor och bomullskrut.

Protte

Electricguy · Inlägg av **Electricguy** » 19 mars 2008, 17:04:05

protte:

några framsteg måste man ju göra

sodjan · Inlägg av **sodjan** » 19 mars 2008, 18:13:36

> Undrar (sodjan) hur uppfinnaren av fälteffekttransistorn förklarade för sina kollegor hur den fungreade, liksom att jämföra med något.

OK, jag skulle ha kunnar leta upp någon Wikipedia sida eller något istället...

prototypen · Inlägg av **prototypen** » 19 mars 2008, 19:05:42

Jovisst kan man förklara Fälteffekten rent fysikaliskt men för en elektronikkunnig person är det väl enklare att jämföra med något bekant och poängtera skillnader och fördelar. Jag tror det är så vidareutbildning fungerar.

Tror det är lika inom uP-världen, i grunden är alla lika från PIC12 till PentiumXX, man behöver inte börja om från grunden vid varje steg (grundkursen i processorarkitektur behöver man bara gå en gång).

Skulle vara ett elände om MS gjorde ett helt nytt OS varje gång (även om det skulle behövas), nu kan man läsa en relativt kort "Read me" med de förändringar som är gjorda.

När jag första gången för 30 år sedan kom i kontakt med FET så förklarades funktionen utifrån både BJT och rör med betoning av likheter och skillnader. Sedan dess har jag lärt mig vad som händer rent fysikaliskt men det är ganska ointressant för en elektroniokkonstruktör/elektronikpulare som utgår ifrån databladet. Fysiken överlämnar jag till halvledartillverkaren.

Vi kan även jämföra ett mekaiskt relä med ett elektroniskt. Mekaniska relän är ganska enkla att förstå. Ett elektroniskt är inte induktivt på ingången men däremot måste man hålla reda på polariteten. Ett mekaniskt kan man köra med lite överlast men ett elektroniskt brinner upp utanför specen. Ett elektroniskt är mycket snabbare. Ett mekaniskt försämras över tiden. Skaksäkrare.
Hela tiden jämför vi med något bekant, något som är förgångare. Reläna har ingång, spole eller lysdiod, Transistorer har ingång (oftast) gate eller bas.

Protte

Geekjoan, vår store ledare på detta forum har väl som underrubrik, frågar man inte så får man inget svar.

peter555 · Inlägg av **peter555** » 19 mars 2008, 19:41:23

Antagligen utvecklades N-FETen före P-FETen.