Variera Mosfet egenskaper i LTSpice

[4kTRB]

Tyckte ändå den där VDMOS generatorn verkade intressant

[psynoise]

Har inget direkt svar på problemställningen gällande parallellkoppling men har jobbat en del med toleranser i Ltspice. Som input har jag då haft toleranser specificerade i kretsparametrar. För bipolära transistorer har det varit exempelvis Vbe och Beta. Sedan har jag tittat vilka parametrar som ingår i SPICE-modellen jag har haft över vald transistor. I SPICE används fysikaliska parametrar så som "saturation current". På enklaste sätt har jag då satt upp transistorn i LTspice för att mäta Vbe när jag varierat "saturation current" genom att göra en parameter i vald SPICE-modell till variabel {}. Då har jag sedan vetat i vilket område jag ska variera saturation current för att kunna göra en worst case-/toleransanalys.

Nu var det dock några år sedan sist och jag kan ha glömt en del. Men samma metod borde gå lika bra med MOSFET.

Vidare har jag sätt några gånger halvledartillverkare ha worst case-modell till SPICE. Då kan man välja en sådan istället vilket gör det enklare att variera parametrar.

[rikkitikkitavi]

Tack för svaret. Olika ingångar på samma problem är alltid bra.

Jag har löst det ialla fall i ideevärlden, dvs LTSpice, helt utan att ta hänsyn till matchade trissor utan med en lokal återkoppling för att driva varje trissa. Lösa OP förstärkare har jag drösavis i SMT.
Jag har testat det med tre olika mosfetar och det ser man när man mäter gate-spänningen på varje trissa, det skiljer mycket men tack vare lokal återkoppling är strömmen lika.
Skillnaderna i förluster är också hanterbara.

Se bifogad modell som zip fil, man kan tydligen inte lägga till asc filer.

Förmodligen kan det vara känsligt i verkligheten om man inte passar sig med feedbackloop i feedbackloop, i synnerhet med mosfettar och allt vad det innebär
Kan nog gå åt en del magisk rök mao. Och det är lite bökigt med många driv-OP. Kanske fundera på som jag skrev tidigare om det går att få in en återkoppling med en diskret transistorlösning.

Edit:Den beter sig inte helt kosher vid låga utspänningar dock. Regleringen försöker driva mosfettarna till negativ potential vilket är lite knepigt om man vill gå hela vägen ner till 0V utspänning. Om man nöjer sig med minst 1 V är det ingen fara. Misstänker man får clampa den.

[rikkitikkitavi]

Lite follow up på denna. Gjorde en testkrets med några TO 264 mosfettar och konstaterade att kretsen fungerar bra för att dela strömmen lika, byggde en konstlast som jag drev med ett 30V 10A konstlast och en kylfläns dimensionerad enligt konstens alla regler.

Men Spiritoeffekten, mosfetarnas variant av Secondary Breakdown kan man säga gjorde slut på transistorerna tämligen spektakulärt när Vce steg och jag testade strömgränsen.

Fördelen är att jag nu vet var deras gräns går när det gäller DC kurvan för Id-Vce på ett ungefär och det är som man kan gissa enligt diverse artiklar.

Nackdelen är att det blir en väldans massa mosfetar för att hålla sig undan den farliga gränsen, över 20V Vce börjar de flesta få problem.

Även med en äldre vertikal mosfet med förmodat större chip än moderna varianter. IGBTer är inte ens lönt att försöka driva linjärt.

Vertikala mosfetar är verkligen byggda för on/off.

Så jag plockar fram de bipolära trissorna och nöjer mig med emittermotstånd.

[4kTRB]

Jag har några IGBT:er som används i ett audioförstärkarbygge som AoE haft.
De skulle säkert passa bra för linjära applikationer. Har inte namnet på dem just nu, GT någonting börjar de på vill jag minnas.

EDIT:

GT20D101
GT20D202

Sidan 63 i den här PDF:en ger lite info om problem med IGBT som går att lösa https://www.worldradiohistory.com/UK/Wi ... 992-05.pdf

[rikkitikkitavi]

De där gamla häckarna är inte riktigt som andra IGBTer som de som används idag i ex induktionshällar och större switchnätaggregat. De är utvecklade för linjära , främst audioapplikationer och var the hot shit i början på 90-talet , bla "alexander amplifier" , en strömåterkopplad förstärkare med IGBTer och DC servo,populariserad i tex Hifi och musik DK versionen när de höll på med DIY (The End mm) . Det var många buzzword i den.

IGBTerna är väl unobtanium idag och värda sin vikt i guld närapå
+
Jag har faktskt byggt den, på studentinkomst. Fick avstå från många öl under en period...trissorna hade varit dyra idag också. Uppgraderade från en fultrafo till en toroid eventuellt.

https://www.analog.com/media/en/technic ... 4an211.pdf

Problemen de beskriver i artikeln är inte samma som gör IGBTer olämpliga för att arbeta i linjära området.

Nu gillar jag nog mest Bjter för linjära tillämpningar under 100V

[4kTRB]

Runt 200kr stycket har jag sett att de kostar. Finns att få tag på.
Jag köpte mina av en firma i Stockholm. Har aldrig byggt det där AoE-bygget.
Det är väldigt märkligt kretskort med tunna kopparbanor för ett så pass effektstarkt bygge.

[4kTRB]

I Augusti- och September-numret (wireless world) 1992 finns väldigt mycket info om att använda mostrissor för linjära applikationer.

mosfet_linear.jpg