Johangbg skrev: ↑9 december 2023, 19:18:17
Jag har bytt ut transistorn och gjort nya mätningar, med i stort sett samma resultat. Däremot hittade jag någon stans på nätet att HFE när transistorn är bottnad ofta är mycket lägre än när den arbetar i det aktiva området. Jag ska prova att använda en TIP120, den kanske fungerar bättre.
Transistorns Hfe är väl samma hela tiden, men när du använder transistorn som switch sådär så blir den i princip ointressant. Det är motstånden som styr "arbetspunkten".
Vbe är väl alltid fast, man räknar oftast med 0,7 V. Se mitt räkneexempel.
Bygger man en förstärkare istället för switch sätter man ett motstånd på emittern, då får du ett "ben" där du har styrspänning-basmotstånd-0,7 V-emittermotstånd-jord. Basmotstånd och emittermotstånd blir då det som styr strömmen in på basen (det enda som varierar i den kretsen är ju styrspänningen. Men du vill inte ha en förstärkare här, du vill ha en switch. Då sätter man emittermotståndet till noll och väljer ett basmotstånd så transistorn bottnar (d.v.s strömmen in på basen ska vara lite större än strömmen kollektor-emitter delat med hFE).
hFE för en BC 547 verkar ligga mellan 110 och 800, om vi räknar på worst case:
Du vill ha 700 mA genom dioden, strömmen in på basen måste då vara minst 700/110=6,4 mA, vi räknar med 10 mA för att ha lite marginal.
Du styr med 3,7 V och Vbe är 0,7 V, så det blir 3 V över basmotståndet. 3 V / 10 mA ger att basmotståndet får vara max 300 ohm. Så 220 ohm där verkar helt ok.
Då kommer transistorn att bottna, resten av beräkningen ligger i mitt tidigare inlägg. Seriemotståndet för lysdioden ska vara max 0,14 ohm om du matar med 3,7 V där.