Jag vill välja potential i en punkt mha en logik-utgång från en uC. Potentialen i fråga är GND eller något som är mycket högre än Vcc. Spontant tänkte jag ta en P-kanal FET och en N -kanal-FET, men det skiter sig (förståss!) med P-kanalen, eftersom det inte går att stänga av den med Vg=Vcc.
Måste detta lösas med en BJT i kombination med t.ex. en extra N-kanal, eller finns det något annat sätt?
Styra stor spänning med uC
Vilken ström är det tal om? Om vi snackar strömmar som utgången klarar av att sinka kan man använda den "Nivå omvandlare" som jag visar på min hemsida (under "Freebies") men är det t.ex. att slå på 12V xA till en motor är det en annan sak.
Så ange U och I då blir det snabbt lättare att ge ett vettigt svar.
Så ange U och I då blir det snabbt lättare att ge ett vettigt svar.
spänningen i fråga är inte spikad än (jag ska precis bygga testutrustningen ju!), men det kommer att röra sig om 10-50V. Vcc är 5V men kan också bli 3.3V.
Nätet i fråga har rätt hög kapacitans (flera uF, inte heller spi kat) till jord. Ett av målen är att få till en snabb flank i noden, max 100nS. När flanken har skett är strömuttaget försumbart
Nätet i fråga har rätt hög kapacitans (flera uF, inte heller spi kat) till jord. Ett av målen är att få till en snabb flank i noden, max 100nS. När flanken har skett är strömuttaget försumbart
Ta en IR2104 tillsammans med två n-mos-transistorer. Den klarar upp till 600 V, vilket ska räcka även till applikationer med 400 V trefas.
Vill du ha en extrem flank är det nog däremot en diskret lösning som gäller. 100 ns ska sannolikt inte vara nått problem för 2104:an iaf.
Är du ute efter att använda igbt:er är du dock ute i kylan. De vill bli drivna negativt för att stänga snabbt, och det har jag iaf inte hittat nån drivare som gör.
Vill du ha en extrem flank är det nog däremot en diskret lösning som gäller. 100 ns ska sannolikt inte vara nått problem för 2104:an iaf.
Är du ute efter att använda igbt:er är du dock ute i kylan. De vill bli drivna negativt för att stänga snabbt, och det har jag iaf inte hittat nån drivare som gör.
-
bengt-re
- EF Sponsor
- Inlägg: 4829
- Blev medlem: 4 april 2005, 16:18:59
- Skype: bengt-re
- Ort: Söder om söder
- Kontakt:
Bipolära beryliumoxid trissor? Då kan du få storleksordningen 0,5ns stigtider (finns ännu snabbare).
BLW83/Ph är en snabb rackare (omkring 2ns)som tål skapliga strömmar och tämligen höga strömmar, lite dyr så skydda den väl och den behöver även ett drivsteg innan du kan driva den ifrån uC.
Hårt driva MOSFET kan hamna under 40ns i stigtid, lusläs datablad och leta runt - problemet för så snabb drivning är att få tillräcklig branthet i drivsteget på grund av gatekapacitancen
BLW83/Ph är en snabb rackare (omkring 2ns)som tål skapliga strömmar och tämligen höga strömmar, lite dyr så skydda den väl och den behöver även ett drivsteg innan du kan driva den ifrån uC.
Hårt driva MOSFET kan hamna under 40ns i stigtid, lusläs datablad och leta runt - problemet för så snabb drivning är att få tillräcklig branthet i drivsteget på grund av gatekapacitancen
Alltså, det du behöver för att driva en IR2104 är runt 10-20 V, samt en kondensator som tål denna spänning och en diod som tål maxspänning-matninsspänning i backspänning. Dvs, du matar din 2104:a med typ 20 V och det laddar upp kondensatorn under tiden då den övre transistorn inte leder. Detta laddas sedan ur in i mosfeten genom 2104:an för att tända den.
Vad du ska med en negativ regulator till begriper jag inte. Det enda du behöver är en matning på 12 V i förhållande till jord. Sen kan du styra spänningar på upp till 600 V
Vad du ska med en negativ regulator till begriper jag inte. Det enda du behöver är en matning på 12 V i förhållande till jord. Sen kan du styra spänningar på upp till 600 V
