NPN/PNP vs FET

[persika]

Om man ska förklara fördelar och nackdelar för en elektroniknybörjare med de olika transistortyperna, vilka argument ska man då framföra ?

[Glenn]

Först och främst är ju PNP/NPN "samma typ", nämligen bipolära transistorer, Ska man särskilja dessa bör man ju även dela in FET'ar i P-channel och N-channel, vilket är i princip samma sak fast i FET-världen.

Sen skulle jag säga att det beror lite på kunskapsnivån hos den man förklarar för. Man kan säga att FET mer är switchar och bipolära mer som förstärkare, men det är ju att förenkla det ganska grovt. För någon som förstår mer kan man ju förklara att FET'en styrs kapacitivt.


Det jag gillar bäst med FET är trots allt att dom har positiv temperaturkoefficeient, till skillnad från bipolära trissor som har negativ, det innebär då att man enkelt kan stacka många FET'ar paralellt och dom lastbalanserar sig själva, och eftersom ohms lag (i vanlig ordning) gäller kommer dessutom som en bonus Rds_on att minska för varje paralellkopplad FET.

En bipolär trissa har ju negativ temperaturkoefficient, vilket innebär att om man gör samma sak där så kommer den som blir varmast dra det största lasset och därmed överbelastas först, när dne brunnit så kommer nästa trissa att dra lasset osv tills alla brunnit.

[SvenW]

Brusegenskaperna är olika. Eftersom FET-transistorn har mycket låg basström blir strömbruset betydligt lägre än för BJT. Därför har en JFET bättre brusegenskaper vid höga källimpedanser.
(Radiorör är ännu bättre än JFET här)
JFET har något högre basström än MOSFET medan MOSFET brukar ha mer 1/f-brus.

[persika]

Tack för intressanta svar!

För längesen använde jag BJT till allt.
småswitchar till lysdioder, reläer , enklare tidskretsar använder jag fortfarande BC548, BC558 och liknande, av gammal vana.

Till mera strömkrävande saker har FET kommit allt mer till användning de senaste 15-20 åren t.ex BUZ11.

[psynoise]

FET av anrikningstyp (enhancement-mode) är populära då de är enkla att driva. Till kraftelektronik har oftast MOSFET bättre verkningsgrad vid högre frekvenser. Medan bipolära och IGBT har bättre verkningsgrad vid låga frekvenser.

Utan att jag har någon större erfarenhet av förstärkare har jag för mig att vissa föredrar bipolära transistorer till effektförstärkare då dessa har lägre spridning i sina parametrar vilket gör designen enklare. Dock är jag övertygad om att kunskapen hos en utvecklare spelar större roll än val av aktivt element.

[JanErik]

FET är ju trevligt till mikrokontrollerapplikationer genom att de är enkla att driva (på låga frekvenser iaf).
Många påstår att BJT låter bättre i audioapplikationer.

[lillahuset]

Vad skulle Matti Otala ha valt?

[Micke_s]

Bjt är mindre ESD känsliga än FET.
Bjt självurladdar styrningen, fet behöver en pull-up/down..
Som tidigare sagt så är det enklare att styra fet från MCU.

Generellt så är bjy billigare än fet i stora volymer...finns även bjt med prebias motstånd...

Jag brukar välja efter vad som passar...
Fet har även en diod i backriktningen, är inte alltid önskvärt.

Har precis upptäck depletion mode mosfet, default på. Slår av när gate spänningen blir tillräckligt hög. Enkelt sätt att bygga strömbegränsning/förreglering till LDO...

[prototypen]

Depletion slår av pga av negativ relativt source spänning på gaten.
Mickes skrivning ser det ut som man lägger hög positiv spänning.

FETar och rör uppför sig på liknande sätt, rör kan behöva lite negativ spänning på gallret jämfört med katoden.

Protte

[Micke_s]

Jo, var lite otydlig där, det är negativt för en n-mos depetion mode...