Precis som Micael tänkt göra så använder man lämpligen drivkretsar speciellt avsedda för ändamålet.
IR2184, IR2101, IR21844 är några exempel men det finns så klart massor. Ett tips är att välja en half-bridge driver istället för en high & low side driver då den förstnämnda vanligen ( alltid ? ) har inbyggt skydd som förhindrar samtidig aktivering av övre och nedre switchen. Många har även inbyggd dödtid, antingen fast eller justerbar som förhindrar shoot-thru vid switchning. Om det finns en shut-down/disable ingång kan den enkelt användas för ström-begränsning av typen cycle by cycle.
Att tänka på är att de flesta drivkretsar inte klarar hålla den övre switchen "på" under någon längre tid med hjälp av den inbyggda bootstrap-drivningen. Dom förlitar sig på switchningen för att ladda bootstrap kondingen). Om man måste ha den övre switchen ledande "konstant" får man ha en spänningskälla refererad till "mittpunkten" på benet.
Vill man ha galvanisk isolation så isolerar man logiksignalerna som matar drivkretsen.
PWM, H-brygga och funderingar kring bästa lösningen.
Re: PWM, H-brygga och funderingar kring bästa lösningen.
irf.com - IR2184.pdf
Features
• Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
• Gate drive supply range from 10 to 20V
• Undervoltage lockout for both channels
• 3.3V and 5V input logic compatible
• Matched propagation delay for both channels
• Logic and power ground +/- 5V offset.
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity
• Output source/sink current capability 1.4A/1.8A
• Also available LEAD-FREE (PbF)
PDIP/SOIC
Kräver dock N-typ FET/IGBT.
Features
• Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
• Gate drive supply range from 10 to 20V
• Undervoltage lockout for both channels
• 3.3V and 5V input logic compatible
• Matched propagation delay for both channels
• Logic and power ground +/- 5V offset.
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity
• Output source/sink current capability 1.4A/1.8A
• Also available LEAD-FREE (PbF)
PDIP/SOIC
Kräver dock N-typ FET/IGBT.
- MicaelKarlsson
- Inlägg: 4669
- Blev medlem: 18 juni 2004, 09:16:07
- Ort: Aneby
- Kontakt:
Re: PWM, H-brygga och funderingar kring bästa lösningen.
"Vill man ha galvanisk isolation så isolerar man logiksignalerna som matar drivkretsen."
Det var ungefär så jag hade tänkt. AVR -> optokopplare -> drivkrets -> Transistorer -> motor
IR2184 såg ju trevlig ut!
Men varför måste det finnas "femti-elva" olika drivkretsar? Man blir ju alldeles snurrig i skallen efter en tids läsande.
Det var ungefär så jag hade tänkt. AVR -> optokopplare -> drivkrets -> Transistorer -> motor
IR2184 såg ju trevlig ut!
Men varför måste det finnas "femti-elva" olika drivkretsar? Man blir ju alldeles snurrig i skallen efter en tids läsande.

- MicaelKarlsson
- Inlägg: 4669
- Blev medlem: 18 juni 2004, 09:16:07
- Ort: Aneby
- Kontakt:
Re: PWM, H-brygga och funderingar kring bästa lösningen.
Har börjat kladda på en H-brygga, vad tror ni? Något att bygga vidare på?
Så skall jag lära mig att exportera bilder från DipTrace.
Tillägg till schema:
- Skyddsdioder till transistorer
- Mellan IN och AVR skall det sitta en optokopplare (modell okänd, just nu).
- Någon form av strömmätning skall till
- Finns säkert något mer.
Så skall jag lära mig att exportera bilder från DipTrace.

Tillägg till schema:
- Skyddsdioder till transistorer
- Mellan IN och AVR skall det sitta en optokopplare (modell okänd, just nu).
- Någon form av strömmätning skall till
- Finns säkert något mer.

Du har inte behörighet att öppna de filer som bifogats till detta inlägg.
Re: PWM, H-brygga och funderingar kring bästa lösningen.
Hej,
Det ser väl OK ut, pullup på SD möjligen. D5 bör vara en ultrasnabb variant, t.ex UF4001 och C1 av typen LOW ESR och möjligen ett motstånd i serie med dioden. Normalt sett behövs inte externa dioder över switcharna då de finns "inbyggda" men "prestandan" på sagda dioder varierar med valet av transistor och kraven med applikationen. The do's and don'ts of using MOS gated transistors. Finns även djupgående information om valet av komponenter till bootstrap funktionaliteten AN-1123 En "tight" PCB layout är också viktig, inga långa, smala, snirklande banor etc.
Det ser väl OK ut, pullup på SD möjligen. D5 bör vara en ultrasnabb variant, t.ex UF4001 och C1 av typen LOW ESR och möjligen ett motstånd i serie med dioden. Normalt sett behövs inte externa dioder över switcharna då de finns "inbyggda" men "prestandan" på sagda dioder varierar med valet av transistor och kraven med applikationen. The do's and don'ts of using MOS gated transistors. Finns även djupgående information om valet av komponenter till bootstrap funktionaliteten AN-1123 En "tight" PCB layout är också viktig, inga långa, smala, snirklande banor etc.
- MicaelKarlsson
- Inlägg: 4669
- Blev medlem: 18 juni 2004, 09:16:07
- Ort: Aneby
- Kontakt:
Re: PWM, H-brygga och funderingar kring bästa lösningen.
H.O: Tack för värdefulla tips!
"En "tight" PCB layout är också viktig, inga långa, smala, snirklande banor "
Ajdå, jag som fick till en så snygg design inspirerad av detta mönster
Så angående externa dioder över switchar: Jag är väldigt förtjust i hängslen och livrem. Extra säkerhet har aldrig skadat någon.
"En "tight" PCB layout är också viktig, inga långa, smala, snirklande banor "
Ajdå, jag som fick till en så snygg design inspirerad av detta mönster

Så angående externa dioder över switchar: Jag är väldigt förtjust i hängslen och livrem. Extra säkerhet har aldrig skadat någon.

- MicaelKarlsson
- Inlägg: 4669
- Blev medlem: 18 juni 2004, 09:16:07
- Ort: Aneby
- Kontakt:
Re: PWM, H-brygga och funderingar kring bästa lösningen.
Hittade lite kul info här:
http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt98-2.pdf
http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt04-4.pdf
Började räkna lite enligt EQ(2) i dt98-2.pdf men någonstans måste jag gjort fel, tror jag, då det skulle bli en konding på 740 μF eller kan det stämma?
http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt98-2.pdf
http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt04-4.pdf
Började räkna lite enligt EQ(2) i dt98-2.pdf men någonstans måste jag gjort fel, tror jag, då det skulle bli en konding på 740 μF eller kan det stämma?
