Skillnad mellan versioner av "IGBT"

Från ElektronikWikin
Hoppa till navigering Hoppa till sök
(kort om hur den fungerar ; howto om IGBT ; WP-en IGBT)
 
(källa)
Rad 1: Rad 1:
Halvledare som klarar hög spänning och ström samt snabba flanktider. Fungerar som en MOSFET på gate och bipolär transistor mellan kollektor och emittor.
Halvledare som klarar hög spänning och ström samt snabba flanktider. Fungerar som en MOSFET på gate och bipolär transistor mellan kollektor och emittor.


* [http://www05.abb.com/global/scot/scot256.nsf/veritydisplay/2c7512f8a460be2ac125750d0052af24/$File/5SYA2059-01%20Applying%20IGBT%20and%20Diode%20dies.pdf abb.com - Info om hur man tolkar IGBT datablad och bygger med dom]
* [http://www05.abb.com/global/scot/scot256.nsf/veritydisplay/2c7512f8a460be2ac125750d0052af24/$File/5SYA2059-01%20Applying%20IGBT%20and%20Diode%20dies.pdf abb.com - Info om hur man tolkar IGBT datablad och bygger med dom]<!-- http://elektronikforumet.com/forum/viewtopic.php?t=42438 -->
* [http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor en.wikipedia.org - IGBT]
* [http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor en.wikipedia.org - IGBT]

Versionen från 7 maj 2010 kl. 15.49

Halvledare som klarar hög spänning och ström samt snabba flanktider. Fungerar som en MOSFET på gate och bipolär transistor mellan kollektor och emittor.