Skillnad mellan versioner av "IGBT"

Från ElektronikWikin
Hoppa till navigering Hoppa till sök
(källa)
Rad 1: Rad 1:
Halvledare som klarar hög spänning och ström samt snabba flanktider. Fungerar som en MOSFET på gate och bipolär transistor mellan kollektor och emittor.
Halvledare som klarar hög spänning och ström samt snabba flanktider. Fungerar som en MOSFET på gate och bipolär transistor mellan kollektor och emittor.


* [http://www05.abb.com/global/scot/scot256.nsf/veritydisplay/2c7512f8a460be2ac125750d0052af24/$File/5SYA2059-01%20Applying%20IGBT%20and%20Diode%20dies.pdf abb.com - Info om hur man tolkar IGBT datablad och bygger med dom]<!-- http://elektronikforumet.com/forum/viewtopic.php?t=42438 -->
== Externa länkar ==
* [http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor en.wikipedia.org - IGBT]
*[http://www05.abb.com/global/scot/scot256.nsf/veritydisplay/2c7512f8a460be2ac125750d0052af24/$File/5SYA2059-01%20Applying%20IGBT%20and%20Diode%20dies.pdf abb.com - Info om hur man tolkar IGBT datablad och bygger med dom]<!-- http://elektronikforumet.com/forum/viewtopic.php?t=42438 -->
*[http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor en.wikipedia.org - IGBT]
 
[Kategori:Komponent]]

Versionen från 16 mars 2013 kl. 21.43

Halvledare som klarar hög spänning och ström samt snabba flanktider. Fungerar som en MOSFET på gate och bipolär transistor mellan kollektor och emittor.

Externa länkar

[Kategori:Komponent]]