Skillnad mellan versioner av "Transientskyddsdioder"
Hoppa till navigering
Hoppa till sök
Bengt-re (diskussion | bidrag) |
Bengt-re (diskussion | bidrag) |
||
Rad 1: | Rad 1: | ||
Elektroniksystem behöver ett skydd mot spänningstransienter. Ett av dessa skydd är halvledartransientskydd — dioder med zener- eller avalanche-egenskaper som ger många fördelar: | Elektroniksystem behöver ett skydd mot spänningstransienter. Ett av dessa skydd är halvledartransientskydd — dioder med zener- eller avalanche-egenskaper som ger många fördelar: | ||
* Mycket snabbt ingrepp | |||
* Medelhög effekttålighet | * Medelhög effekttålighet | ||
* Distinkt klippkaraktäristik och god långtidsstabilitet | * Distinkt klippkaraktäristik och god långtidsstabilitet |
Nuvarande version från 28 maj 2008 kl. 20.31
Elektroniksystem behöver ett skydd mot spänningstransienter. Ett av dessa skydd är halvledartransientskydd — dioder med zener- eller avalanche-egenskaper som ger många fördelar:
* Mycket snabbt ingrepp * Medelhög effekttålighet * Distinkt klippkaraktäristik och god långtidsstabilitet * Går inte i avbrott utan till kortslutning vid drift utanför data
Framspänningsfall ca 1 V. Zenerkaraktäristik i backriktningen.