Klippkrets för dynamisk påresistansmätning över transistorer
Postat: 26 september 2015, 21:27:21
Tidigare har jag kontrollerat spänningen över mättade transistorer med en diod och resistor. Detta behövs i switchade applikationer när drain source-spänningen är stor i strypt tillstånd. Dock har jag funderat på hur på mätresultatet kan göras bättre. Nackdelen med den enkla klippkretsen av diod och resistor är delvis läckström och stor resistans men även kapacitans tror jag ställer till det.
Efter lite bibliotekssökande stötte jag på artikeln A Fast Voltage Clamp Circuit for the Accurate Measurement of the Dynamic ON-Resistance of Power Transistors.
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.js ... %3D6880783
Författarna Gelagaev, Jacqmaer och Driesen presenterade en bra idé tycker jag. Samma koncept som visas i artikeln har jag skissat visat i figuren nedan.
När testtransistorn (DUT) är mättad ska spänningen över drain och source vara liten. Därav går de båda strömspegelns genererade strömmar I_D genom dioderna D_A respektive D_B. Potentialen i den positiva terminalen för utspänningen v_meas blir då drain-spänningen v_D plus spänningsfallet över dioden D_A. För den negativa terminalen blir potentialen spänningsfallet över dioden D_B.
Om nu spänningsfallen över D_A och D_B lyckas bli samma fås utspänningen v_meas mycket nära drain- och source-spänningen i mättat tillstånd vilket är målet.
I strypt tillstånd när drain source-spänningen v_DS blivit stor går den vänstra I_D strömmen genom klippdioderna D_clamp istället för genom dioden D_A som då är backspänd.
Min ända egentliga fråga för stunden är hur jag bäst lyckas hålla spänningsfallen över D_A och D_B snarlika. Finns det några välkända kommersiella halvledare med två dioder i samma kapsel som kan tänkas göra jobbet tillsammans med någon kommersiell strömspegel som exempel Texas Instruments REF200?
Efter lite bibliotekssökande stötte jag på artikeln A Fast Voltage Clamp Circuit for the Accurate Measurement of the Dynamic ON-Resistance of Power Transistors.
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.js ... %3D6880783
Författarna Gelagaev, Jacqmaer och Driesen presenterade en bra idé tycker jag. Samma koncept som visas i artikeln har jag skissat visat i figuren nedan.
När testtransistorn (DUT) är mättad ska spänningen över drain och source vara liten. Därav går de båda strömspegelns genererade strömmar I_D genom dioderna D_A respektive D_B. Potentialen i den positiva terminalen för utspänningen v_meas blir då drain-spänningen v_D plus spänningsfallet över dioden D_A. För den negativa terminalen blir potentialen spänningsfallet över dioden D_B.
Om nu spänningsfallen över D_A och D_B lyckas bli samma fås utspänningen v_meas mycket nära drain- och source-spänningen i mättat tillstånd vilket är målet.
I strypt tillstånd när drain source-spänningen v_DS blivit stor går den vänstra I_D strömmen genom klippdioderna D_clamp istället för genom dioden D_A som då är backspänd.
Min ända egentliga fråga för stunden är hur jag bäst lyckas hålla spänningsfallen över D_A och D_B snarlika. Finns det några välkända kommersiella halvledare med två dioder i samma kapsel som kan tänkas göra jobbet tillsammans med någon kommersiell strömspegel som exempel Texas Instruments REF200?