Svenska ElektronikForumet

Tittade på denna PFET men undrar lite om hur man ska förstå databladet.
I tabellen Absolute Max står ID cont Drain current(1) -14A
(1)RqJA =45°C/W on 1inch 2 Cu (2 oz.) on 0.060" thick FR4 PCB.

Men sen i Figure 10 så går ju linjen för DC långt under 14A.
Hur ska man tolka fig 10 ?

Öh,

Figure 10.
Typical Diode Forward Voltage

Vad menar du?

Om du menar Fig 11 så är det den som gäller.

Maximum ratings, är just maximum ratings, överskrider du dessa så kommer garanterat den vita röken.
Om du håller dig inom de i Fig 11 visade områdena får du "aldrig" vit rök, området mellan de i Fig 11 och Maximum ratings, kan fungera om du designar på rätt sätt och provar på riktigt sätt.

Ja, jag menar fig 11, sorry.

Om jag har Vds 15V och ska hålla mig under DC linjen så får jag ju inga 14A som man kan få för sig om man läser ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS i början.

Naturligtvis inte, varför skulle du få det?

Om jag säger så här då.
När kan man få continous 14A?

Aldrig.
Dock om du tittar i databladet så är den termiska resistansen för figur 11 angiven till i runda slängar 120K/W, och Max Ratings till 45K/W.

120K/W eller däromkring är troligen vad man kan förvänta sig vid normal design, medan 45K/W kräver rätt noggrann konstruktion och tester för att kunna uppnå.

Så, för att göra det enklare för dig är det FIG 11 med den SOA'n som anges där det du kan förvänta dig att klara, Max Ratings kan du inte uppnå, utan att bränna trissan.

Det här är intressant.
Om jag "mättar" FETen fullt, Vgs -10V, var i fig 11 ska jag då läsa av Id för DC?
Är man i Area limited by Rdson eller under linjen?
Om man är under linjen antar jag att man läser av fig Saturation Char och får Vds=-0,5V och i Fig 11 Id ca 1,5A?

Du kommer aldrig att kunna ligga i Area limited by Rdson, just för att Rdson är för hög för detta.

Om du använder transistorn som switch kommer du att ligga på linjen som går snett upp åt höger. Det ser ut som att den motsvarar ungefär 11-12 mΩ. Under linjen hamnar du om du använder transistorn som linjär förstärkare.

Om du bara är intresserad av DC är det lättare att läsa av Rdson i figur 8 (röda kurvan om du vill pressa transistorn så hårt som möjligt). Därefter får du uppskatta ett RθJA, tex enligt figurerna på sida 3 (det är konstigt att värdena för 1 kvadrattum och minimum pad skiljer sig från värdena i tabellen för Absolute Maximum och i figur 11, men de är mer pessimistiska så det är säkrare att räkna med dem). När du har RθJA kan du beräkna max förlusteffekt för att hålla Tj under 150°C, och därefter strömmen mha Rdson. Om man stoppar in rätt värden för Vgs och Ta kan man säkert få fram 14 A.

SOA-kurvorna är mest intressanta när det gäller enstaka transienta förlopp, men även där skulle jag känna mig tryggast om man låg innanför DC-kurvan.

Bör dessutom tillägga att det kostar mycket livslängd att designa för så hög Tj som Abs max tillåter.

OK.
Gjorde ett räkne-exempel med 10A.
Rds(on) 8mohm => säkerhetsmarginal *2=16mohm.
P=10*10*0,016=1,6W
Rth(j-a)=50 grader C/w
Temp höjn=1,6*50=80 grader C

Ex 2
10A med kylfläns R=25 => Temp höjn=40 grader C

Verkar det rimligt?

Verkar rimligt.

Antar att det är P = I² * R du använt här?

P=10*10*0,016=1,6W

Tänk dock på att många kiselbaserade komponenter får problem vid 125 °C och i stort sett alla förstörs vid 150 °C. Vilket innebär att om innetemperaturen är 30 °C på sommaren och det inne i en apparatlåda är 40 °C så får temperaturen inte öka mer än 85 °C vilket kräver en termisk resistans på mindre än 85/P, där P=effekt i W.