Svenska ElektronikForumet

Detta är antagligen en idiotisk fråga, men jag begriper inte ett par aspekter i databladet för IGBTn HGTG18N120BND som finns HÄR.

Nämligen: Rubriken "54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode" (min fetning) säger rakt ut att kretsen har inbyggd frihjulsdiod.

Vad jag är osäker på är dels

• Kan man alltså utelämna extern frihjulsdiod i en krets designad runt denna IGBT?
• Vad har denna inbyggda frihjulsdiod för egenskaper? Kan jag utgå från att den motsvarar en schottkydiod på 1200V som pallar... ja som pallar vilken ström, det kan jag heller inte utläsa.

Många transistorer får en diod över source till drain per automatik. Dock blir det inte en bra diod då den bara är där för att den måste och inte är designad för att vara en bra diod. Den brukar ha hög kapacitans och högt spänningsfall.
Jag vet inte om det är så i ditt specifika fall men ofta är det som jag beskriver iaf.
Om du har en extern diod då kommer du även att fördela värmeutveckligen på flera kapslar vilket är bra.

När de nämner dioden på det sättet låter det ju som att den ska vara en feature och inte en bug så att säga

Det finns väl även en del data i databladet för dioden, framspänning och recovery-tid t.ex.

Kolla efter Iec (till skillnad från Ice) och figure 18.

Det som kallas "If" i databladet har sannolikt med skyddsdioden att göra.
Det finns några diagram där man kan tolka vilka strömmar denna tål.
Verkar vara 10-tals A, om jag ser rätt. Fig 18 och 19.

Dioden skyddar inte mot flybackspänningen från en induktans.
Den skyddar mot negativ spänning Kollektor - emitter.
I en H-brygga så kommer dioderna att fylla en uppgift.

Om dioden är Hyperfast så kan den ju inte ha hög kapacitans.

Protte

Hm, "FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST C" talar lite
imot det. Där förekommer ingen extra flyback.

Det man skulle behöva göra är att leta lite bland app.notes
från Fairchild och se om man hittar några rekomendationer.

Ett tips kanske kan vara att studera den här pdf:n
som beskriver en SPICE-modell av en IGBT:

http://www.intusoft.com/articles/Igbt.pdf

Ack, som jag fruktade verkar det som om svaret på min första fråga är "det beror på". För säkerhets skull gör jag nog alltså klokast i att lägga in en antiparallell schottkydiod i kretsen - den kan i vart fall inte göra någon skada.

Det finns inga Si schottkydioder över ca 100V. Leta efter SiC om du vill ha schottky.

Dioden i IGBTn är ditlagd som en feature. En vanillj IGBT har ingen diod.
Den borde vara snabbare än bulkdioden i en mosfet.

Hej!

Bifogar ABBs "Applying IGBTs"
Kapitel 2 visar hur man tolkar och använder datatabellerna. Enligt deras påstående kan förklaringarna tillämpas
på alla IGBT eftersom de är likadant uppbyggda principiellt.

M.v.h DanG