Svenska ElektronikForumet

Jag har en PWM-styrning på ca 2 kHz med en igbt-transistor (hemmabygge och funkar bra). Men nu vill jag utöka så jag kan klara högre strömmar, från 10A idag till kanske 20A. Är det lämpligt att parallellkoppla en till igbt av samma sort, eller skall jag skaffa en som klarar ungefär dubbelt så hög ström? Om jag skall parallellkoppla, kan man då koppla c-c, e-e och g-g helt enkelt? För- och nackdelar med alternativen?

Det bästa borde vara att ta en större transistor.

Men det går, under vissa förutsättningar, med bipolära och mosfetar så jag skulle tro att det går med IGBT:er också. IRF har en appnote som tar upp det: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-990.pdf

MOSFET går ju utmärkt att parallellkoppla direkt, bara man räknar med den fördubbalde gateladdningen.
Med IGBT är det inte lika enkelt. Deras kollektor-emitter-spänning vid "on" sjunker vanligtvis vid högre temperatur, vilket gör att den får mer ström och blir ännu varmare (och den andra transistorn blir då kallare)... en obalans som lätt kan gå fel. På bipolära transistorer använder man ju emittermotstånd i sådana lägen, jag vet inte hur bra det fungerar med IGBT, men det blir ju onödig effektförlust det också.