Svenska ElektronikForumet

Pulsar man ström genom en transistor går det höja max
tillåten ström från tex 1.5A till 3A i en BD137. Detta
framgår av databladet på ett tydligt sätt.

Vissa datablad anger periodtiden mellan pulserna men
vissa anger inget tydligt värde på detta.

Frågan blir hur jag ska veta vad som gäller för tex en BD137 där jag inte
kan hitta data om just periodtiden?

Säg att jag har en periodtid på 200us och signalen går hög i 100us.
Kan jag då kalla det för en pulsad ström och tillåta högre maxström
än vad gäller för likström?

RMS av maxström och vilotid måste väl vara inom gränsen för kontinuerlig ström för att det ska hålla? Enda restriktionen borde vara att det håller sig inom den termiska tröghetsgränsen. Sällan mindre än 1 sekund.

SOA = Safe Operating Area

Jag tror inte att man kan ha ett pulsförhållande på 1:10 och köra 10 gånger maxströmmen i pulserna, men annars är det ju uppvärmningen som är problemet och då blir det ju RMS-värdet av strömmen (eller rättare sagt förlusteffekten) som styr.

tror det är transistorns termiska egenskaper som begränsar så rms värdet av pulsad ström kan inte överstiga maxströmmen.
varför inte byta transistor till en tåligare?

Kan tänka mig att kapacitiva och induktiva egenskaper kan begränsa antalet switchningar under en finit tidsperiod.

Har sett max pulsdata saknas på vissa trissor och där är det max juncion temp som begränsar pulsbredd och dylikt.

I databladed för BD137 har de testat vissa data med pulsad ström.

Till exempel:
Base-Emitter On Voltage*
*Pulse Test: Pulse Width <= 300us, Duty Cycle <= 2%

Kanske detta man ska ha som riktvärde för hur pulsstyrningen ska gå till?

Det brukar finnas en absolut gräns för ström/spänning mm oavsett tidsrymd. Så att utelämna denna uppgift är rätt illa. Den termiska kan man iaf uppskatta.

Precis, det måste ju finnas en gräns där bondingtrådar eller substrat brinner sönder av pulsen.

Håller sig strömpulsen bara under max tillåten så är det ingen fara.
Det är ju värmen som är problemet.

När värde för max saknas så blir det knepigt..

Iofs kanske man kan göra någon segmenterad termotröghetsanalys?

4kTRB skrev:Håller sig strömpulsen bara under max tillåten så är det ingen fara.
Det är ju värmen som är problemet.

Men frågan här var väl hur mycket man kunde gå över transistorns max-ström om man pulsade strömmen?

Jag tror ju inte att en transistor som är märkt 1 A klarar 100 A peak bara för att strömmen är pulser på 10 ms varje sekund. 100 A i 10 ms lär hinna bränna upp det mesta (inklusive benen), även om den genomsnittliga strömmen bara blir 1 A.


För röntgenrör så specificerar man anodens värmeinnehåll (i Joule) för att specificera hur hårt man kan köra innan den måste vila för att kylas.

Det står en del BS i databladen tyvärr. Hur kan man t ex speca en TO220 mosfet upp till över 200A när benen brinner av strax före 40A?

Även för pulsad ström uppges ett maxvärde och det är högre
än för kontinuerlig ström. Håller man sig till de värdena så
håller transistorn strömmässigt medans om pulserna
kommer för tätt så börjar det mer och mer att likna
kontinuerlig ström vilket medför att man måste sänka
strömtopparna för annars blir det för varmt.

Men var går gränsen?

>..benen brinner av strax före 40A?

Ofta står det "limited by case" lite finstilt nånstans.