Svenska ElektronikForumet

Hur dimensionerar man basmotståndet till en transistor för säker bottning. Alltså om transistorn är given samt kollektormotstånd och vill använda trissan som switch. För småsignaltransistorer vet jag att man brukar använda 1k till basen och 10k till kollektorn, men hur gör man t.e.x för att beräkna motstånd till en effekttrissa?

sätt ett motstånd så att baströmen * hfe blir mer än kollektor stömen.

...och spänningfallet över bas-emitter är 0,6V...
(kan vara bra att veta vid resistansberäkningen?)

Brukar använda 1k och 10k... vem brukar det?
Själv brukar jag mest använda 10k till basen, och kollektormotståndet beror helt och hållet på vad jag kopplar in. runt 150 Ohm för en lysdiod t.ex...


Om vi säger att transistorn har en hfe på 50, och den klarar en kollektor-emitter-ström på 3A. Då ska du ha minst 60mA i bas-emitter-ström. Om det är en NPN vill säga. Låt säga att du skickar 5V till basen, och emittern är kopplad direkt till jord. Då ska du ha ett motstånd på max 73 Ohm till basen. (5-0,6)/0,06

Det där med säker bottning har jag aldrig räknat på, och mitt exempel är säkert fel, men jag brukar ta lagom mycket lägre än max 56 Ohm kanske?

Man får inte glömma att hfe sjunker med ökad kollektorström!
Den kan t ex vara 30 vid 4 A men bara 3 vid 10A kollektorström.

När jag gick i gymnasiet på el-tele så fick jag lära mig att man ska bottna med faktor 10. Dvs om man har en hfe på 100 och ska bottna 1A last så ska bas strömmen vara Ic / hfe x 10. Dvs 100mA.

Dock så tror jag inte att man blint ska köra enligt detta utan man får nog anpassa lite efter den aktuella trissan och dess last.

Mikael

Jag brukar också göra enligt ovanstående grundregel. Uppgifterna i databladet på Hfe ska man ta med en nypa salt.

Jag har mest kopplat signaltrisssor.....BC547 typ...den finns jusom bekant i flera versioner A,B, C...med olika förstärkning......men variationen inom tex A-typen är ju ganska stor...så ja kollar effter hfe-minimum...beräknar basmotståndets värde ...sen minskar jag det värdet med en faktor på 1,5-2, å så kollar jag också vad som skall driva trissan (logik-kretsar i 4000-serienkllarar bara att "ge ut" 0,5 mA), för ibland är det på håret!

Okej, tack så mycket allihop,då vet jag hur man gör nu och mer där till. Tänk vad man kan lära på detta forum!

Jo en fråga bara: om man istället väljer att använda en fet transistor är principen den samma då? Fördelen är väl att den drar mindre sröm in på basen?

Nja, fördelen med fetare transistorer är snarare att den klarar större kollektor-emitterström utan att brinna upp.

Om du däremot använder en darlingtontransistor så behöver den mindre ström in på basen.

EDIT: Menade du en FET-transistor eller "fet" som i stor?
FET-transistorer styrs med spänning in på gaten, istället för ström in på basen på bipolära transistorer

Ett praktexempel på styggelsen med särskrivningar!

Oj, jag menade förståss en FET (field Effect Transistor).

En fet transistor kan ofta dra mer ström på styret (gate) än en bipolär på basen. Det är visserligen ganska kort tid (tills kapacitansen är övervunnen) men man måste alltid räkna med det ändå.

Det mest optimala borde väl då vara att styra en FET-transistor med en darlington?
Liten "styrström", och mycket kollektor-emitterström!

Mvh
speakman