Svenska ElektronikForumet

Ja då var man tillbaka med nya frågor såklart. Denna gången är kopplingen enkel (och förhoppningsvis rätt ritad) och antagligen lika enkel att räkna på. Första person som kan räkna ut R1, och R2 på kopplingsschemat (med redovisningar) får en kaka
En sak till, jag vill alltså att transistorn ska bottna och släppa igenom maximalt, alltså 0,2A.
Transistorn jag använder är art 71-051-74 på elfa. Jag har skrivit ut de viktiga sakerna men om det behövs mer så finns databladet här:
http://www.elfa.se/pdf/71/07105174.pdf

http://img517.imageshack.us/img517/5/pnphurbp5.jpg
Jag har läst artikeln här på forumet med npn transistorer så dessa kan jag räkna på men det blir ju inte riktigt samma sak med pnp transistorer.

Alltså, hfe är enl databladet 200/400 dvs minst 200. Om du ska driva en lysdiod a 20mA så krävs en ström 0.02/200= 0.1mA på basen. Motsvarande om du vill att den ska kunna ta 0.2A så blir strömmen 1mA på basen.

Förutsatt att du sänker "Signal till 0V" så blir basmotståndet (5-0.6)/0.0001= 44kohm resp 4.4kohm vid 0.2A. Sedan skadar det ju inte att ta i lite så lämpligt motstånd är 22k resp 2.2k.

EDIT: Såg att hFE var 120 vid 100mA och sjunker till ca hälften vid 200mA. Basmotståndet blir högst ca (5-0.6)/3.333mA = 1320ohm isåfall.

men ska man inte gå efter VCEsat värdet? Då blir förstärkningen bara -10/-5 = 20 gånger. Det läste jag i artikeln här på forumet.

Tittar man på figur 2 i databladet så har man Vce(sat)=0.2 vid Ic/Ib=10 redan vid 50mA så är du ute efter 0.2V Vce så får man nog ösa på ännu mera basström. För övrigt är Ice max 0.1A....

Men varför krångla till det? Du ska ju bara dra 20mA och vid de strömmarna så är hFE ca 120.

Så det bästa är att kolla på Hfe värdena? Helt enormt bra att det står IC = 0,2A på elfa när det står 0,1A i databladet.... Men iaf så ska man inte titta på VCEsat värdet utan Hfe värdet? För det är onekligen skillnad på 20 gånger förstärkning och 120 gånger...

Det beror väl helt enkelt på vad man är ute efter. Om man ska köra 100A så är det en viss skillnad på effektutveckling om Vce är 0.5 eller 0.1 volt.

Men för en liten lysdiod så spelar det ju ingen större roll. Förlusterna är ju många gånger större i kollektormotståndet än i transistorn. Här är det ju mer intressant att hålla basströmmen inom rimliga gränser.

Säg att jag istället för en lysdiod har 5 lysdioder på 20mA var (tex om man multiplexar) då kommer jag upp i de 100mA som transistorn klarar av, blir det då någon skillnad på förstärkningen eller?

Glömde nästan att du ska ha en kaka för din hjälp också

Titta på figur 1 i databladet. Förstärkningen sjunker till ca 75% vid 100mA.

Ahhhh figur 1 är ju jättebra att titta på när man dimensionerar. Tack för hjälpen!