Svenska ElektronikForumet

Jag vill välja potential i en punkt mha en logik-utgång från en uC. Potentialen i fråga är GND eller något som är mycket högre än Vcc. Spontant tänkte jag ta en P-kanal FET och en N -kanal-FET, men det skiter sig (förståss!) med P-kanalen, eftersom det inte går att stänga av den med Vg=Vcc.

Måste detta lösas med en BJT i kombination med t.ex. en extra N-kanal, eller finns det något annat sätt?

Vad är "mycket högre än Vcc" ?????

Ska det bara switcha mellan två nivåer ?
Krav på drivfårmåga (strömuttag) ?

Pull-down transistor + ett pull-up motstånd ?

Kanske en "High-side driver" ?

Vilken ström är det tal om? Om vi snackar strömmar som utgången klarar av att sinka kan man använda den "Nivå omvandlare" som jag visar på min hemsida (under "Freebies") men är det t.ex. att slå på 12V xA till en motor är det en annan sak.

Så ange U och I då blir det snabbt lättare att ge ett vettigt svar.

spänningen i fråga är inte spikad än (jag ska precis bygga testutrustningen ju!), men det kommer att röra sig om 10-50V. Vcc är 5V men kan också bli 3.3V.

Nätet i fråga har rätt hög kapacitans (flera uF, inte heller spi kat) till jord. Ett av målen är att få till en snabb flank i noden, max 100nS. När flanken har skett är strömuttaget försumbart

Ska du ha så pass snabb flank måste du ha en "hård" drivning, då börjar det kraftigt likna high-side driver.

Efter att ha tittat lite på farnell verkar de flesta high side drivers bara tåla 20V, så det verkar som om det blir tre diskreta trissor iaf...

Kan man komma upp i de önskade hastigheterna med "normala" (= inte svindyra och finns i lager) transistorer?

Ta en IR2104 tillsammans med två n-mos-transistorer. Den klarar upp till 600 V, vilket ska räcka även till applikationer med 400 V trefas.

Vill du ha en extrem flank är det nog däremot en diskret lösning som gäller. 100 ns ska sannolikt inte vara nått problem för 2104:an iaf.

Är du ute efter att använda igbt:er är du dock ute i kylan. De vill bli drivna negativt för att stänga snabbt, och det har jag iaf inte hittat nån drivare som gör.

Bipolära beryliumoxid trissor? Då kan du få storleksordningen 0,5ns stigtider (finns ännu snabbare).

BLW83/Ph är en snabb rackare (omkring 2ns)som tål skapliga strömmar och tämligen höga strömmar, lite dyr så skydda den väl och den behöver även ett drivsteg innan du kan driva den ifrån uC.

Hårt driva MOSFET kan hamna under 40ns i stigtid, lusläs datablad och leta runt - problemet för så snabb drivning är att få tillräcklig branthet i drivsteget på grund av gatekapacitancen

bengt-re:
Det räcker med 100ns stigtid. HItta rätt transistorer var visst det svåraste. Alla vidare förslag på passande trissor mottages tacksamt

IR2104 får bara ha 20V . Jag behöver 50V. Eller har jag missförstått databladet?

"Högsidan" av IR2104 drivs med max 20V, men kan flyta 600V över "lågsidan".

Ok, jag fattade det där med att man kan köra 600V, det räcker ju bra. Men 20v negativ-regulatorer som klarar 50v inspänning, finns det sådana, eller har jag missat någor bra trick om hur man fixar High-side matning?

Alltså, det du behöver för att driva en IR2104 är runt 10-20 V, samt en kondensator som tål denna spänning och en diod som tål maxspänning-matninsspänning i backspänning. Dvs, du matar din 2104:a med typ 20 V och det laddar upp kondensatorn under tiden då den övre transistorn inte leder. Detta laddas sedan ur in i mosfeten genom 2104:an för att tända den.

Vad du ska med en negativ regulator till begriper jag inte. Det enda du behöver är en matning på 12 V i förhållande till jord. Sen kan du styra spänningar på upp till 600 V

Japp, kolla på schemat i databladet.

Vs och Vb "åker med upp" när spänningen till lasten switchas. Drivspänningen till högsidan är den spänningen som ligger över kondensatorn där.

Tack för alla bra förklaringar!

Det där med kondingen var ju smart. Jag såg förvisso förslaget i databladet, men förstod det inte förens ni förklarade.