Svenska ElektronikForumet

Jag skulle vilja få lite råd att dimensionera en TVS-diod.
Jag vill sätta en dubbelriktad TVS-diod mellan gate och souce på en MOS FET som skydd mot transienter. Nu får vi se om jag har fattat detta rätt.
Max spänning (Vgss) mellan gate och source är 30V.
Då bör väl Clamping Voltage (Vcl) på dioden vara högst 30V eller kanske helst strax under?
Breakdown Voltage (Vbr) när dioden börjar att leda brukar då ligga på ett antal volt lägre än Vgss.
Har jag fattat det rätt?

Använd en enkelriktad TVS.
Då skyddar du bättre mot felpolarisering

Klampa transienten strax över den spänning
där din transistor leder på det sätt du önskar.
Onödig tillåta mer överspänning än nödvändigt.

Kör på en enkelriktad TVS-diod. Välj en med clampingspänning (Vcl) runt 30V, och breakdown-spänningen (Vbr) några volt lägre, typ 26–28V. Då skyddar du MOSFET:en perfekt.