Svenska ElektronikForumet

Jag har en fråga om MOS-FET transistorer.
I spänningsregulatorkretsen i nätdelen på en Panasonic Super VHS-spelare sitter två MOS-FET.
Enligt schemat heter de Q 1150 och Q1153. Q1153 skall enligt schemat vara en 2SK2876 men på kortet sitter det en FS5KM-10 i stället. Q1150 stämmer med schemat och vad som sitter på kortet, en FS4KM-12A. Bägge dessa finns att köpa i utlandet men blir orimligt dyra med frakt. Jag bad då Electrokit att hitta några man kunde ersätta dom med. De föreslog STP6NK60ZFP och IRF830PBF.
Men jämför jag scheman så har originaltrissan FS5KM-10 en TVS-diod inbyggd mellan Gate och Source.
Denna saknas helt på IRF830. Se scheman här nedanför. Nämnas kan att MOS-FET som är med på schemat inte har någon TVS-diod. Det får mig mig att tro att det finns ett påkallat behov att ha en sådan med TVS-diod. Min fråga är då bör jag hitta en MOS-FET med TVS-diod eller kan jag ändå använda den utan? Vad anser ni?

Då det gäller de andra dioderna så har bägge TVS-diod. Men de är vända på olika håll. Se schema.
Men funktionen bör väl ändå bli densamma?

Du bör ha en med TVS diod. En sådan transistor är dyrare, så någon har valt den med avsikt. Det kan fungera utan, en stund, kanske... Alternativt lägga en extern tvs-diod.

Ser det ut som om den som inte stämmer med schemat har blivit utbytt (spår av att vara handlödd)? I så fall kan ju nån ha bytt i efterhand vid tidigare fel.

Jag tror att IRF830PBF har TVS-dioden också men utan att det finns beskriven i databladet. Den dubbelriktade TVS-dioden är ett ESD-skydd för att inte statisk elektricitet ska knäcka oxidlagret mellan gate och kanal. På transistorer utan skydd av gaten brukar det finnas uttryckliga varningar och instruktioner för hanteringen i databladet.
En annan viktig parameter som ofta ignoreras är "gate charge" och "gate capacitans" som påverkar switchtiderna.
För hög charge/capacitans ger längre swtichtider och därmed högre förluster.
För låg charge/capacitans ger kortare switchtider och därmed elakare switchtransienter som är mer högfrekventa och har högre toppspänning.

MiaM skrev: ↑4 maj 2025, 10:10:38 Ser det ut som om den som inte stämmer med schemat har blivit utbytt (spår av att vara handlödd)? I så fall kan ju nån ha bytt i efterhand vid tidigare fel.

Uteslutet. Maskinen har haft en ägare - min kompis - som köpte den ny. En dag var den död när han skulle sätta på den.

Pucco skrev: ↑4 maj 2025, 12:42:41 Jag tror att IRF830PBF har TVS-dioden också men utan att det finns beskriven i databladet. Den dubbelriktade TVS-dioden är ett ESD-skydd för att inte statisk elektricitet ska knäcka oxidlagret mellan gate och kanal. På transistorer utan skydd av gaten brukar det finnas uttryckliga varningar och instruktioner för hanteringen i databladet.
En annan viktig parameter som ofta ignoreras är "gate charge" och "gate capacitans" som påverkar switchtiderna.
För hög charge/capacitans ger längre swtichtider och därmed högre förluster.
För låg charge/capacitans ger kortare switchtider och därmed elakare switchtransienter som är mer högfrekventa och har högre toppspänning.

Men hur skall man då veta om den har TSV-skydd? Eller är det mer regel att alla har det menar du oavsett hur det ser ut på schemat?