BJT/MOSFET i "high gain region"
Postat: 31 maj 2023, 17:23:53
Jag vill jämföra ett antal transistorer, både bipolära transistorer och MOSFETs, över hur lågt vCE man kan komma undan med utan att förlora allt förmycket förstärkning. För bipolära transistorer pratar man om active region och light saturation.
Därav undrar jag om det finns några vanliga parametrar i tillverkarnas datablad där jag kan se gränsen mellan light saturation och deep saturation samt motsvarande high gain region för MOSFETs?
Worst-case siffra på ßDC vs vCE hade såklart också gott bra men något sådant kan jag inte minnas att jag sett.
Därav undrar jag om det finns några vanliga parametrar i tillverkarnas datablad där jag kan se gränsen mellan light saturation och deep saturation samt motsvarande high gain region för MOSFETs?
Worst-case siffra på ßDC vs vCE hade såklart också gott bra men något sådant kan jag inte minnas att jag sett.