Sida 3 av 3
Re: Storlek på pull-down motstånd FET gate?
Postat: 29 augusti 2011, 18:15:41
av Borre
Annars kan man göra en egen "mosfetdriver" bara för att testa och greja lite:
Behövs ett motstånd mellan mikroprocessorn och ingången till vänster i bild. Rgate kan vara bara några ohm om man vill begränsa strömmen något. Vdrive kan vara så hög som mosfeten som ska drivas tål, med högre än mikroprocessorn 5V så kan du driva även icke logiknivå-mosfets såhär.
Re: Storlek på pull-down motstånd FET gate?
Postat: 29 augusti 2011, 19:33:44
av bearing
Det där drivsteget kommer inte driva gaten med Vdrive, utan spänningen blir transistorernas basspänning minus Vbe, d.v.s. om inspänningen är en 5V logiksignal kommer gatespänningen bara bli drygt 4V.
För att få nära Vdrive på gaten behövs en transistor kopplad som inverterare innan push/pull-steget.
Re: Storlek på pull-down motstånd FET gate?
Postat: 29 augusti 2011, 20:18:25
av Borre
Ja helt riktigt, det var jag som blandade ihop bilderna lite när jag googlade fram lämpliga bilder.
Men den går ju att använda om man bara vill switcha med högre ström utan att vara begränsad av mikroprocessorns utström.
Här är en bild så som bearing beskriver (tex):

Re: Storlek på pull-down motstånd FET gate?
Postat: 29 augusti 2011, 22:57:10
av sodjan
> Bara som en parentes, om du vill garantera ledning och/eller switchar vid litet
> högra frrekvenser så skall du inte koppla rakt på en MCU-utgång.
> Använd en dedikerad mosfetdriver i stället.
T.ex:
http://www.tradera.com/10-st-1-5A-Dual- ... _138524900
Kan mata 1.5A in/ut från gaten för snabba omslag.
Jämför med ca 20 mA direkt från en PIC/AVR I/O-pinne.
(Och ja, det är min auktion...)