swesysmgr skrev:Att bygga stora DIL-kretsar av små låter mycket tidskrävande, är det inte enklare att sätta ut två rader med pin-headers parallellt? Att ha ett separat bibliotek tror jag fortfarande är mest rationellt.
Jag föredrar nog ändå DIL4 respektive DIL6 fast visst, PH2 & PH3 funkar också men i inget av fallen kommer man ifrån att pinnarna måste numreras om, jag gillar det alltså som det är men du kan gärna få lägga till PH2 och PH3 om du vill för då är ju faktiskt problemet löst (pga snap-gridden om 100 mil), galant lösning egentligen för det är nästan så att hela mitt DIL-bibliotek går bort!
Jag kan göra en generell PNP och en NPN med de fyra olika kapslarna och alla benkombinationer på varje om du vill, att klicka ihop kontaktordningen går snabbt. För att hålla reda på dem föreslår jag att variant-namnen blir benordningen.
JFET/MOSFET och Darlington borde gå att göra på samma sätt.
Låter verkligen inte dumt men jag tror jag är nöjd, ska dock lura lite på vad du säger samtidigt som jag instämmer i ditt förslag angående variant-namnen.
Om man inför både NAME (ex. Q1) och VALUE (ex. BC546) etiketter som på IC-kretsar kanske de kan användas för att sätta ut vilken variant det skall vara, skall se om det går på transistorer eller om man måste kalla dem något annat.
Ingen dum ide', låter mycket bra.
Men vad tycker du egentligen om "mitt" bibliotek?
Tycker du att alla permutationer av ben hos BJT/MOS/JFET/DARLINGTON är värt allt jobb?
Att ha dessa varianter var å andra sidan lite av min ursprungliga tanke, jag bara tyckte det var lättare att bara ha ett fotavtryck för kapseltypen, nämna faktiska value (BC546 osv) för dig och permutera benen i form av konstigt kopplade trissor i schemat om just min trissa hade annan benkonfiguration, detta var min plan.
Men glöm inte att jag fortfarande caddar (och vill cadda) i paint och där är allt rättvänt och där finns alla värden, sch ger sedan mest name (R1 osv), det är det sch gör för mig (annars blir det lite knöligt att veta vilken komponent som ska sitta var på brd samtidigt som jag strävat och strävar efter att skapa "flödesriktiga" scheman för att bl.a underlätta just detta).
Nu spekulerar jag bara för du inspirerar, vi kanske skulle skippa hela nuvarande transistor-delen av biblioteket och istället införa typer med biblioteksnamn (value) modell:
TO220V/NPN/BCE
TO220V/NPN/BEC
TO220V/NPN/EBC
TO220V/NPN/CBE
TO220V/NPN/ECB
TO220V/NPN/CEB
---
TO220V/PNP/BCE
TO220V/PNP/BEC
TO220V/PNP/EBC
TO220V/PNP/CBE
TO220V/PNP/ECB
TO220V/PNP/CEB
---
TO220V/PNP-D/BCE
TO220V/PNP-D/BEC
TO220V/PNP-D/EBC
TO220V/PNP-D/CBE
TO220V/PNP-D/ECB
TO220V/PNP-D/CEB
---
TO220H/NPN/BCE
TO220H/NPN/BEC
osv
Här börjar jag starkt känna att H-varianter inte behövs, i enbart en av mina 24 konstruktioner har jag använt en H-variant (det var faktiskt inte ens en trissa utan en regulator) och den går lätt att fixa på annat sätt (nu slår det mig dock, jag saknar faktiskt "Mount-Hole4.1" som komponent, brukade ofta glömma dom i mina konstruktioner så det kan du få lägga till om du vill).
Om du vill göra nåt brutalt (jag har ju redan fått din senaste fil som jag är mycket nöjd med) så tycker jag du tar bort alla H-transistorer och skapar generella V-transistorer enligt din plan och eventuellt enligt min mall ovan.
MVH/Roger
PS
Tre åtgärder eventuellt då:
1) PH2 & PH3 (Pin-Header, nästan så att TP funkar lika bra)
2) Mount-Hole4.1 (krävs för att kunna "göra" fästhål i korten, miss av mig)
3) Bort med alla H-trissor, permutera samtliga ben hos kapslarna och ge namn som indikerar ben-konfiguration t.ex TO220V/NPN/BCE
Gör gärna förändringen i två steg, ändra mitt senaste bibliotek med främst 2) men gärna också 1), gör sedan ett helt nytt bibliotek modell 3). Enklast är kanske att du först skapar ett nytt rk1 och sedan ett rk2.
Hoppas jag inte ber dig om för mycket.
Value för trissorna skulle kunna vara:
Kapsel/NPN/BCE
Kapsel/NPN-D/BCE
Kapsel/N-FET/GDS
Kapsel/N-JFET/GDS
Täcker alltså BJT/Darlington/FET/JFET.
)