Oavsett om man tänker ström eller elektroner så blir ju uttrycken emitter och kollektor inkonsekventa mellan NPN och PNP. Men om man tänker laddningsbärare, där laddningsbärare har olika laddning i NPN vs PNP, så stämmer det kanske. *förvirrad*
Bra om man är fysiker kanske, men jäkligt opraktiskt för oss som ska använda de små sakerna!
Men men, frågan är om detta hjälper fosfor på något sätt? Jag hoppas att detta med att pilen i symbolen visar hur basströmmen går kan vara till hjälp i alla fall.
Att elektroner flödar i motsatt riktning, är väl något som sker gällande alla komponenter?
Men att man "undviker" att tänka så för att det helt enkelt bara ställer till det mentalt?
Strömmen är väl åt ena hållet alltid, och det är den riktningen man menar generellt.
Medans elektroner flödar i motsatt riktning?
Enklast är nog att säga att strömmen mellan bas och emitter, oavsett åt vilket håll den går, "river med sig" strömmen genom collector och emitter i samma riktning.
Om en transistor är specad till 1.5 Ampere, kommer den kunna ge detta max av sig själv.
Eller måste den begränsas med t.ex. motstånd.
Alltså om jag kopplar in så den har tillgång till t.ex. 3Ampere, är det vad den kommer försöka ge och då gå sönder.
Eller sänker den själv strömmen till vad som är specat till dess maxläge?
Om den är specad till en viss ström (kollektor-emitter-ström), betyder det är den högsta ström transistorn klarar att hantera.
Kör du max förstärkning och matar på från en källa som kan ge mycket höga strömmar blir det bara skit av trissan. Transistorer kan inte själva begränsa något.
Det är som en lampa - står det 24V på den, betyder inte det att den automatiskt ställer in för högre spänningar.
Det som står i databladet under rubriken Absolute Maximum Ratings (se tidigare inlägg!) betyder att du INTE får utsätta transistorn för större strömmar, spänningar, temperaturer osv.
Och återigen - transistorn skapar/genererar inga strömmar.
Och här : https://learn.sparkfun.com/tutorials/transistors/all
Läser jag "If your transistor had a β of 100, for example, that’d mean an input current of 1mA into the base could produce 100mA current through the collector."
Så skulle du snälla kunna klargöra vad du menar här, för jag blir förvirrad när
folk skriver en sak men jag läser en annan på flera olika platser.
Om man nu petar in 1mA och får 100mA ut, är inte det att generera skapa/generera ström?
Senast redigerad av fosfor 19 november 2018, 16:17:09, redigerad totalt 1 gång.
fosfor: Det är väldigt enkelt, hade transistorn kunnat skapa mer ström av en liten ström hade vi inte haft en transistor utan en evighetsmaskin.
Transistorn är alltid kopplad så att den har spänning över sig från collector till emitter eller tvärtom beroende på om det är pnp/npn.
Går det nu ingen ström in/ut (npn/pnp) på basen så leder transistorn ingenting. Det är avbrott mellan collector och emitter. Ser vi till att vi driver en ström in/ut (npn/pnp) mellan bas och emitter så kommer transistorn att börja leda mellan collector och emitter. Den ström som kommer flöda mellan emitter och collector är direkt proportionell mot strömmen mellan bas och emitter, med en "förstärkningsfaktor" som är transistorns Hfe.
Så länge transistorn är kopplad till en strömkälla som kan ge tillräckligt med ström kan den leverera den strömförstärkning som databladet anger. Den skapa inga strömmar (eller spänningar) av sig självt utan reglerar bara strömmen i den krets den är inkopplad till.
Se det så som om transistorn är en ventil där en lite ström mellan bas och emitter styr en större ström mellan kollektor och emitter. Förhållandet mellan dessa bägge strömmar = hFE.
Skulle du inte säga då att påståendet "The basic function of a BJT is to amplify current" är felaktigt.
Och att en mer korrekt beskrivning skulle vara "the basic function of a BJT is to regulate and steer incoming current".
