Svenska ElektronikForumet

Jag tycker detta illustrerar en sund inställning.

Junction Breakdown Voltages
• If reverse voltage across either of the two pn junctions in the transistor is too large, the corresponding diode will break down.
• The emitter is the most heavily-doped region, and the collector is the most lightly doped region.
• Due to doping differences, the base-emitter diode has a relatively low breakdown voltage (3 to 10 V). The collector-base diode can be designed to break down at much larger voltages.
• Transistors must be selected in accordance with possible reverse voltages in circuit.

https://engineering.purdue.edu/~ee255d3 ... _Mode].pdf

Dvs. överskrid inte maximal backspänning.

I TS exempel kan man köra vippan på 5 volt och sedan ha ett steg med en transistor som drar upp upp spännnigen till 12 volt, om det behövs.

/π

Man kan även lägga en 1N4148 på varje bas (katod mot basen) så att större spänningssväng inte "kommer igenom" tillbasen.

Icecap:

Diod i serie med basen borde vara säkert.

Jag har inte testat, men något av dessa alternativ borde väl fungera?

1. Ersätta 1 k-motstånden med två seriekopplade 470 ohm. Koppla C₁ och C₂ mellan motstånden.

2. Ersätta 47k-motstånden mot två seriekopplade 24 k-motstånd. Koppla baserna mellan motstånden.

Borde kanske simuleras?

/π

Förmodligen behövs inget av detta. TS har ju själv aldrig haft problem Annars kan man väl addera zenerdioder mellan bas och emitter.

Hur påverkas MTBF av att man överskrider ett maxvärde med 50%?

Har det någon betydelse i den aktuella tillämpningen?

När det t.ex. gäller vitala delar i fordon, i flygplan och ännu mer i rymden så nöjer man sig inte med att man har testat och konstaterat att det fungerar.

Väl? Jag kan ju ha fel...

[VISA]

Boeing CEO, other executives stepping down amid safety crisis
Three senior Boeing executives including its CEO are stepping down, the company said Monday, as the company continues to deal with an ongoing scandal and federal investigation into the safety of its passenger jets.
https://www.nbcnews.com/business/busine ... rcna144882

/π

Jag skulle vilja påstå att man bör räkna eller simulera med toleranser oavsett branch. Ingen vill ha returer eller dåligt rykte. Däremot görs det väldigt lite konstruktion av de som jobbar med kretskort idag. Halvledartillverkarna har redan gjort jobbet så länge man inte behöver något speciellt eller med bättre prestandard.

Jag har sätt konstruktörer använda två olika principer. Designa med typiska värden och se till att ha stor marginal. Alternativt ta fram toleranser och göra worst case-analys. Har man väl toleranser tycker jag den senare är enklare.

Sedan är det svårt att verifiera en design enbart via test på bänk. Det gäller att få fram gränserna. Exempelvis kan man simulera variation i beta genom att ändra omgivningstemperatur i ett större omfång än specificerat. Låg temperatur ger lägre beta medan hög temperatur ger högre beta.

Inom konventionell rymdindustri lägger kunden väldigt mycket tid på granskning. Man har flera formella granskningar under ett konstruktionsprojekt. Man tittar på kravstatus, schema, WCA (formellt dokument med worst case-beräkningar), PSA (formellt dokument part stress-beräkningar) och säkerligen mycket mer som jag inte kommer på.

4kTRB skrev: ↑25 mars 2024, 08:02:19 BC517 har 10V enligt databladet.

Tack för tipset. 10 V är bättre än 5 V men jag skulle vilja ha 15 V. Vet att det finns exotiska transistorer ämnade till mute för audio som har stor V_EBO > 15 V. Men jag önskar att det fanns något, gärna i SOT23, som man kan köpa via de stora komponentdistributörerna.

Tror den där kretsen TS byggt kan fungera med 3st BC547 darlingtonkopplade och då blir tillåten backspänning 15V.

pi314 skrev: ↑25 mars 2024, 13:02:49 Icecap:

Diod i serie med basen borde vara säkert.

Jag har inte testat, men något av dessa alternativ borde väl fungera?

1. Ersätta 1 k-motstånden med två seriekopplade 470 ohm. Koppla C₁ och C₂ mellan motstånden.

2. Ersätta 47k-motstånden mot två seriekopplade 24 k-motstånd. Koppla baserna mellan motstånden.

Borde kanske simuleras?

/π

Intressant förslag, ska testa.

Nu har jag mätt lite till, så här:
Tagit en ny oanvänd BC546C.
Mätt hFE med en multimeter som har hFE-mätning.
Har fått hantera transistorn med skumplast, för annars värmer fingrarna upp den, och det syns direkt på hFE.
Mätt VEB och strömmen på basen.
2-3 minuter för varje mätpost.
Man ser att hFE sjunker allt eftersom de plågsamma mätningarna fortgår.

hFE = 513
18uA -8,03V
hFE = 504
121uA -8,04V
hFE = 499
1,02mA -8,06V
hFE = 485
5,04mA -8,12V
hFE = 463
10,01mA -8,21V
hFE = 446
19,96mA -8,35V
hFE = 431

Har byggt enkel krets och gjort oscilloskopmätningar.

Har testat med dela basmotstånden, enligt förslag:

Har testat med att dela kollektormotstånden:

Ser ut som om Icecap's förslag med 1N4148 i serie med basen var ett bättre förslag...

/π

Har testat med diod i serie: